Samsung krijon cipin qe zgjat jetegjatesine e baterise
IBM dhe Samsung kanë njoftuar një 'përparim' të çipit që ka potencialin të mbajë bateritë e smartfonëve të karikuar për një javë të tërë.
Çipi përmban një dizajn të ri të transistorëve me efekt të fushës vertikale të transportit (VTFET), i cili vendos transistorë pingul me sipërfaqen e çipit, duke lejuar një rrjedhje vertikale të rrymës.
Dizajni vertikal është çelësi për transformimin e industrisë së gjysmëpërçuesve, pasi mund të reduktojë përdorimin e energjisë me 85%.
Ligji i Moore është premisa që numri i transmetuesve në një çip dyfishohet çdo 2 vjet, duke përmirësuar kështu shpejtësinë dhe aftësinë. Kjo ndodh si rezultat i përmirësimeve të ndryshme teknologjike, si rritja e numrit të transistorëve që mund të futen brenda një mikroçipi.
Por ekspertët paralajmëruan se çipat ekzistues rrezikonin të mbaronin hapësirën për të mbajtur teknologjinë më të fundit. Dhe me dizajnin VTFET të IBM, më shumë transistorë për milimetër katror mund të paketohen në çipin e ri.
Çipi i ri, sipas firmës, thekson gjithashtu "rolin kritik të investimit në kërkimin dhe zhvillimin e çipave dhe rëndësinë e çipave në çdo gjë, nga kompjuteri,tek pajisjet e komunikimit, sistemet e transportit dhe infrastruktura kritike".
